尽管很多年来早已拥有很多能在石墨烯中造成带隙的方式，可是仍存有许多抵制在数据电子元器件中应用石墨烯的人，她们称其石墨烯欠缺原有的带隙。不清楚她们见到这篇新闻报道会如何想。

照片来源于美军研究试验室/ ACS Nano杂志期刊

用人眼来看，照片內部的虚线三角形表明石墨烯中氮原子的最邻近地区，而外界三角形的三个角则坐落于第二和第三邻近区域间的电子器件聚集部位。

氮掺杂一直全是在石墨烯里造成平稳带隙的诸多方式中最有发展前途的方式之一，它事实上是提升了原材料的导电性。如今，美军研究试验室(NRL)的研究工作人员早已开发设计出了新的石墨烯氮掺杂技术性，此项技术性能够精准地操纵氮掺杂剂在石墨烯晶格常数中的部位，这类准确性巨大地减少了管理体系缺点，而且可靠性也拥有显著提高。

来源于NRL的研究工作人员，另外也是该毕业论文的一同创作者Cory Cress在接纳电子邮箱访谈时表述说，“氮掺加石墨烯晶格常数早已可以根据别的技术性进行，包含在成长期和后成长期的退火工艺等。但是，现阶段已选用的技术性在操纵掺杂物的部位上存有显著的差别，包含室内空间上和深层上的差别(假如应用双层石墨烯试品)。在一般状况下残渣的换置，例如氮，要是没有附加缺点得话会是改动可带构造的理想化掺杂，因为它最好是地维持了石墨烯的基础传送工作能力。”

氮原子做为石墨烯掺杂剂，具备十分独特的特性。它是根据它比氧原子多了一个附加的电子器件。氮原子被置放到石墨烯晶格常数内时，全部的键都维持详细，而且有附加的电子器件能够在全部石墨烯层内随意挪动。这提升了原材料中电子器件的浓度值(也称之为n型掺杂)，也相对地提高了导电率。

此前的研究早已发觉，在石墨烯中生产制造点缺陷(比如清除一个氧原子)始终不变原有的掺杂水准，Cress对于此事表明，“也就是说，石墨烯中的缺点是电荷平衡的，那样她们就不可以可控性地引进一个带隙，虽然缺点透射的提升会减少电子器件的传送。”

虽然其他掺杂剂在一定水平上面不成功，但氮原子是石墨烯的理想化n型掺杂剂，NRL的研究工作人员早已应用了高温高压离子注入(HyTII)技术性来掺加氮原子。因为氮原子和氧原子拥有 相近的品质和规格，取得成功更换的几率进一步提高。

NRL的研究工作人员早已在ACS Nano刊物上叙述了她们的HyTII全过程，而定性分析和精确测量原材料的結果公布在Physical Review B上。

在她们的精确测量中，NRL的研究工作人员观查到大的负磁电式，磁电式的规格与氮原子引入的浓度值和带构造的更改有关，因为氮原子坐落于晶格常数中而且特性是固定不动的，因而能够根据操纵氮原子的成分精准调整。

参加研究的NRL科学家，毕业论文的第一作者Adam L. Friedman在记者招待会上说：“这种机器设备的精确测量結果明显说明，大家最后做成了含有可调式带隙的石墨烯塑料薄膜，另外兼具低缺点相对密度和高可靠性的特性。因而，大家推断HyTII石墨烯塑料薄膜在电子器件或磁矩电子器件这种规定高品质石墨烯的主要用途会拥有 极大的发展潜力。”

来源于：材料牛